迎接高密度NAND閃存 實(shí)現(xiàn)4K LDPC糾錯(cuò)技術(shù)突破
2020-04-13
追求存儲(chǔ)密度以降低存儲(chǔ)成本不斷推動(dòng)著NAND閃存技術(shù)的發(fā)展。NAND閃存技術(shù)已經(jīng)從最初的SLC時(shí)代,跨越MLC、TLC向QLC時(shí)代快速演進(jìn),并且從最初的2D平面技術(shù)全面切換到3D堆疊技術(shù)。而3D NAND閃存技術(shù)也從最初的32層堆疊,發(fā)展到了目前最...